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2018年6月5日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破. 中国电科二所)生产大楼内,100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行,碳化硅(SiC) 晶,在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生据中国汽车工业信息网,使用碳化硅 MOSFET 或碳化硅 MOSFET 与碳化硅 SBD 结合的 功率模块的光伏逆变器,转换效率可从 96%提升 99%以上,能量损耗降低 50%以 上,设备循环寿命提升 50。
