由于AlN是一种典型的共价合物，具有很高的熔点，在烧结的过程中原子的自扩散系数小、晶界能较高，因而通常很难采用常规的烧结方法烧结出高纯的AlN陶瓷，必须添加助烧剂来促进烧结。
为20wt AlN,TiN) -Al2 O3 在1420 热压烧结后的断口SEM照片。可见, 材料在较低温 度下烧结时, 致密度较低, 断裂模式主要为沿晶断 为20wt AlN,TiN) -Al2 O3 热压烧结后的断口SEM 照片。可见: 压烧结的样品非常致密,几乎观察不到气孔, 属于穿 晶和沿晶混合断裂模式。
【摘要】：在回顾氮化铝陶瓷研究历史的基础上,对近国内外高导热AlN陶瓷的研究工作进行了全面的评述,包括粉体制备、烧结助剂、烧结工艺、烧结气氛及烧结后热处理等方面,着重从微观结构出发探讨了诸因素对AlN导热性能的影响,并介绍了该领域的发展动态。
程卫华【摘要】采用热压烧结工艺制备了AlN-SiC复合材料，用XRD和激光导热仪等研究了SiC加入量对复合材料导热性能的影响。结果表明：当SiC含量20wt%时，烧结温度为1800℃～1950℃，随着烧结温度的升高，热扩散系数逐渐增加，热导率呈逐渐上升的趋势，热导率从42.2W·m ·K 增加到68.4W·m ·
【摘要】：利用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)工艺研究了燃烧合成法制备的2种具有不同形貌的AlN粉以及1种碳热还原氮化法制备的市售亚微米级AlN粉的烧结性能、致密化机理以及导热性能。结果表明:燃烧合成法制备的AlN纳米晶须状粉末具有与亚微米级标准市售AlN粉末同样优异的烧结性能,都 ...
用于半导体制造的氮化铝（AlN）部件. 活用氮化铝（AlN）高导热率和高耐腐蚀性，将其用于半导体制造设备部件。 MARUWA以培育多年的材料技术为基础，使用适合产品使用和形状生产的原始烧结工艺，生产半导体制造设备和医疗设备零件。 Aluminum Nitride (AlN) Components
但它晶界较为“干净”，高温强度并不随温度的升高而变化，一般能用到1600℃，强度不发生变化。在固相烧结中SiC-AlN系统很值得注意，由于它具有良好的电阻与导热性，有可能是一种廉价的大规模集成电路的 …
但由于SiC陶瓷材料的表面能与界面能的比值低，即晶界能较高，因而很难通过常规方法烧结出高纯致密的SiC陶瓷。采用常规的烧结方法时，必须添加助烧剂且烧结温度必须达到2050℃以上，但这种烧结条件又会引起SiC晶粒长大，大幅降低SiC陶瓷的力学性能。
AlN可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。 氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。
传统流延成型工艺所制备出的浆料固相体积含量较低，加上干燥阶段中部分有机溶剂的挥发，极易导致素坯中孔隙率的增加从而使坯体结构疏松化，弱化后期烧结效果，难以制备出高致密度、高导热AlN陶瓷基片。 AlN…
德山的高纯氮化铝粉末，具有热导性好、电绝缘性强、与各种半导体相近的热膨胀性等特性，是的烧结体原料。我们还备有在这种高纯氮化铝粉末中加入了助烧结剂、易于使用的成型顆粒规格产品。
分类号学号 M 代码1 密级华中科技大学 直流电弧等离子体制备纳米AlN 粉末 及其烧结性能研究 学位申请人： 胡木林副教授 ThesisSubmitted PartialFulfillment EngineeringPreparation AlNpowder DCarc plasma Itssintering performance Candidate LianZhang Major MaterialsScience Supervisor AssociateProf.
常见的AlN陶瓷助烧剂有：Y2O3、CaCO3、CaF2、YF3等。添加助烧剂烧结高导热AlN陶瓷的方法目前已广泛应用于生产中，但是由于AlN 陶瓷烧结时间长、烧结温度高、高品质AlN粉价格贵等原因，导致AlN陶瓷制作成本极高。 高导热陶瓷材料的应用
通过对比烧结曲线优化前后AlN陶瓷基片主要性能及组织结构，结果表明烧结曲线优化后效果明显。 关键词：AlN陶瓷基片；液相烧结；保温时间；烧结温度；烧结曲线 中图分类号：TB34 文献标志码：A 文章编号： 7545
【摘要】：氮化铝薄膜耐高温、化学性质稳定、绝缘性能好,是优良的压电材料。氮化铝薄膜机电耦合系数大、声速高、高频性能好,适合于制柞声表面波器件。saw器件与半导体技术的结合是当前发展的一个重要趋势,aln的高频和低色散性能有助于解决大数据速率的信号处理器件。
本文主要以纳米AlN粉体为原料，通过选取不 同的烧结助剂和添加剂，合理控制烧结工艺，在1600低温常压烧结制备了致密的 AlN陶瓷。 本文研究了A1N陶瓷烧结过程的氧化现象，进行了空气氧化实验、气氛实验、 埋粉实验和温度实验等研究。
工艺：热压烧结、无压烧结、放电等离子烧结、微波烧结及自蔓延烧结；阐述AlN 基板的制备工艺及其影响因素。 关键词：AlN；导热机理；合成；烧结；烧结助剂；基板. 中图分类号：TQ 174 文献标识码：A . Typical properties and preparation technologies of . AlN packaging material
随着烧结时间的延长，AlN晶格内部的氧原子逐步向表面扩散，进一步净化了AlN晶格，热导率迅速增长。该助烧剂体系中Li 2 O的助烧作用是明显降低反应温度，改善液相与AlN晶粒的润湿性，促进低温烧结AlN陶瓷的致密化。 表 2 常见AlN陶瓷多元烧结助剂对烧结性能 ...
本发明涉及的是一种高温共烧氮化铝（AlN）陶瓷的烧结方法，属于电子陶瓷技术领域，主要应用于多芯片组件（MCM）和大功率陶瓷基板及外壳等领域。背景技术高温共烧陶瓷（HTCC）按照材料体系可分为氧化铝和氮化铝等。氮化铝高温共烧陶瓷的主要优点是热导率高、机械强度高、电性 …
陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺板。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。
然而，当前缺乏足够大和高质量的单晶限制了AlN的发展。在这次报告中，我们介绍了一种新颖的自发式方法，通过内部设计的3英寸PVT升华反应器生长独立式AlN晶体。生长结果表明，通过精确控制反应腔中的温度分布，可以在预烧结的AlN粉末源上生长独立的AlN单晶。
摘要： 将空心阴极效应运用于AlN陶瓷的烧结, 选用自蔓延高温合成的AlN粉体为原料, 用 Y2O CaO-Li2O作为烧结助剂, 制备出了致密度高, 导热性能好的AlN陶瓷.在添加5.5wt% 的Y2O CaO-Li2O(Y2O3:Li2O:CaO=44:6:5wt%)作为烧结助剂, 在1700℃, 保温3h的烧结条件下, 获得相对密度为98.89%, 热导率...
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常见的AlN陶瓷助烧剂有：Y2O3、CaCO3、CaF2、YF3等。添加助烧剂烧结高导热AlN陶瓷的方法目前已广泛应用于生产中，但是由于AlN 陶瓷烧结时间长、烧结温度高、高品质AlN粉价格贵等原因，导致AlN陶瓷制作成本极高。 高导热陶瓷材料的应用
AlN陶瓷 烧结助剂 致密度 热传导系数 ... 【摘要】：介绍了在 Al N烧结中 ,烧结助剂的种类和加入量对 Al N陶瓷材料的烧结致密度和热传导系数的影响。通过分析不同烧结助剂对 Al N低温烧结 (16 0 0℃ )的影响 ,认为有效的烧结助剂应该满足以下 4个原则 :1和 Al N颗粒 ...
氮化铝陶瓷的烧结简介及调控 摘要：AlN 陶瓷以其高的热导率、低的介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数等优 点，在模块电路、可控硅整流器、大功率晶体管、大功率集成电路等电子器件上 的应 …
